Vật liệu bán dẫn perovskite là một hợp chất có dải năng lượng có thể điều chỉnh trong khoảng từ 1choi game ban ca,2 eV đến 3,2 eV thông qua việc thay đổi thành phần. Khi điều chỉnh dải năng lượng của vật liệu perovskite gần 1,68 eV, kết hợp với vật liệu silic có dải năng lượng 1,12 eV bằng công nghệ ghép lớp, pin mặt trời ghép lớp sẽ được hình thành. Trong đó, lớp perovskite ở phía trên hấp thụ ánh sáng bước sóng ngắn có năng lượng cao, còn lớp silic ở dưới hấp thụ ánh sáng bước sóng dài có năng lượng thấp. Việc các lớp con hấp thụ các dải quang phổ khác nhau giúp giảm tổn thất do quá trình giải phóng điện tích nhiệt, từ đó nâng cao hiệu suất chuyển đổi quang điện một cách hiệu quả.

Hiệu suất lý thuyết tối đa của pin mặt trời silic đơn tinh thể là 2912 chòm sao,4%, trong khi hiệu suất thực nghiệm trong phòng thí nghiệm đạt 26,7%, và hiệu suất trung bình cao nhất của pin sản xuất hàng loạt chỉ khoảng 24,5%. Tuy nhiên, đối với pin mặt trời ghép lớp perovskite/silic, hiệu suất lý thuyết có thể lên đến 42,5%, và hiện nay hiệu suất thực nghiệm đã đạt 29,52%, vượt qua giới hạn lý thuyết của pin silic đơn tinh thể.

Hiện tạichoi game ban ca, theo kết quả kiểm định từ Viện Đo lường Trung Quốc, hiệu suất ổn định đầu ra của pin ghép lớp perovskite/silic nhỏ do Công ty Yếu Năng tự nghiên cứu phát triển đã đạt đến 32,44%.